董明珠赢下"十亿赌局"，格力要"死磕"5G手机和芯片

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Toshiba第三代SiCMOSFET：珠赢-优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，下芯片有助于降低开关损耗。

-低漏源导通电阻×栅漏电荷积-低二极管正向电压：亿赌要死VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)主要规格（除非另有说明，亿赌要死否则Ta=25℃）部件编号TW027U65CTW048U65CTW083U65C封装名称TOLL尺寸(mm)典型值9.9×11.68×2.3绝对最大额定值漏源电压VDSS(V)650栅源电压VGSS(V)-10至25漏极电流（直流）ID(A)Tc=25°C573928电气特性漏源导通电阻RDS(ON)(mΩ)VGS=18V典型值274883栅极阈值电压Vth(V)VDS=10V3.0至5.0总栅极电荷Qg(nC)VGS=18V典型值654128栅漏电荷Qgd(nC)VGS=18V典型值106.23.9输入电容Ciss(pF)VDS=400V典型值22881362873二极管正向电压VDSF(V)VGS=-5V典型值-1.35样品检查及供应情况在线购买在线购买在线购买​。局机和详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。格力[3]具有靠近FET芯片连接的信号源端子的产品。

应用领域服务器、董明数据中心、董明通信设备等的开关式电源电动汽车充电站光伏逆变器不间断电源产品特点表面贴装TOLL封装：支持设备小型化与自动化组装。[4]截至2025年8月，珠赢Toshiba测量值。

TW027U65C、下芯片TW048U65C和TW083U65C这三款MOSFET即日起开始批量出货。

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