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-低漏源导通电阻×栅漏电荷积-低二极管正向电压：颠覆淀北VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)主要规格（除非另有说明，颠覆淀北否则Ta=25℃）部件编号TW027U65CTW048U65CTW083U65C封装名称TOLL尺寸(mm)典型值9.9×11.68×2.3绝对最大额定值漏源电压VDSS(V)650栅源电压VGSS(V)-10至25漏极电流（直流）ID(A)Tc=25°C573928电气特性漏源导通电阻RDS(ON)(mΩ)VGS=18V典型值274883栅极阈值电压Vth(V)VDS=10V3.0至5.0总栅极电荷Qg(nC)VGS=18V典型值654128栅漏电荷Qgd(nC)VGS=18V典型值106.23.9输入电容Ciss(pF)VDS=400V典型值22881362873二极管正向电压VDSF(V)VGS=-5V典型值-1.35样品检查及供应情况在线购买在线购买在线购买​。想象详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。

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